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AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur eröffnet

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EQS-Media / 13.12.2024 / 08:42 CET/CEST

AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur
eröffnet


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Bildtitel: Aus Anlass der Eröffnung des Innovationszentrums der AIXTRON SE
in Herzogenrath am 12. Dezember 2024

V.l.n.r.: Dr. Benjamin Fadavian (Bürgermeister Herzogenrath), Dr. Felix
Grawert (CEO AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministerin für Wirtschaft,
Industrie, Klimaschutz und Energie des Landes Nordrhein-Westfalen), Dr.
Christian Danninger (CFO AIXTRON SE) --- Foto: AIXTRON/Friedrich Stark.

Herzogenrath, 13. Dezember 2024 - NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur hat
das neue Innovationszentrum von AIXTRON SE (FSE: AIXA) am Firmensitz in
Herzogenrath eröffnet. Bei dem offiziellen Termin an diesem Donnerstag
zeigten AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert und CFO Dr. Christian Danninger der
Ministerin den neuen Forschungs- und Entwicklungskomplex mit 1.000 m²
Reinraumfläche. Er bildet die Grundlage für den Übergang zur
300-mm-Wafer-Technologie in der Verbindungshalbleiterindustrie.

"Das neue Innovationszentrum von AIXTRON ist ein beeindruckendes Beispiel
für die Innovationskraft und Zukunftsfähigkeit der Halbleiterindustrie in
Nordrhein-Westfalen. Der Start der 300-mm-Wafer-Technologie ist ein
Meilenstein für die Energieeffizienz und Wettbewerbsfähigkeit unserer
Region. Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer
robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die
Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein
Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie
produzieren." sagte Mona Neubaur, Ministerin für Wirtschaft, Industrie,
Klimaschutz und Energie und stellvertretende Ministerpräsidentin des Landes
Nordrhein-Westfalen.

Der Veranstaltung wohnten Vertreter von Politik, der Stadt Herzogenrath, der
Industrie- und Handelskammer Aachen sowie Medienvertreter bei. Die
Ministerin besuchte AIXTRON im Rahmen einer Innovationstour in
Nordrhein-Westfalen.

"Mit dem neuen 300-mm-Anlagen tauglichen Reinraum im Innovationszentrum
werden wir unsere technologische Marktführerschaft weiter ausbauen", sagte
Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. "Wir
verfügen bereits über erste 300-mm-GaN-Prototypenanlagen, die auch schon bei
mehreren Kunden in Pilotlinien integriert sind. Und genau hier zeigt sich
die Innovationskraft und DNA von AIXTRON. Seit Jahrzehnten arbeiten wir an
technologischen Lösungen, ohne dass der Markt seine Anforderungen schon
konkret definiert hätte. Damit sind wir in der Lage, unseren Kunden
frühzeitig bei ihren Produktentwicklungen zu helfen und innovative
Technologien genau zu dem Zeitpunkt marktreif anzubieten, an dem erstmals
eine Nachfrage entsteht."

Spatenstich und Baubeginn des hochmodernen Komplexes, in den AIXTRON aus
eigener Kraft rund 100 Millionen Euro investiert, war im November 2023. Das
High-Tech-Gebäude ist ausgelegt auf den nächsten großen Schritt in der
Verbindungshalbleitertechnik: den wichtigen Übergang auf 300-mm-Wafer für
GalliumNitrid (GaN) und weitere Verbindungshalbleiteranwendungen. Das
Materialsystem GaN, in dem AIXTRON Technologieführer ist, kommt aufgrund der
überragenden Materialeigenschaften in immer mehr Leistungselektronik zum
Einsatz. GaN-basierte Halbleiterbauelemente steigern die Leistungsfähigkeit
von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, ermöglichen eine effiziente
Stromwandlung im Bereich erneuerbarer Energie und eine energiesparende
Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft beispielsweise
auch bei den Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die sich gerade
rasant verbreiten, denn diese benötigen sehr viel Energie.

Um sich auf diese Nachfrage vorzubereiten, treibt AIXTRON die Entwicklung
der 300-mm-Depositionstechnologie voran. Der größere Waferdurchmesser bietet
Kunden einen Flächenvorteil von Faktor 2,25 gegenüber den aktuell
verwendeten 200-mm-Wafern. Darüber hinaus können die Kunden ihre bestehenden
300-mm-Fabriken und Anlagen erstmals für die Herstellung von
Verbindungshalbleitern benutzen. Dadurch wird die Herstellung von
GaN-Halbleiterbauelementen nicht nur kostengünstiger, sondern bietet
perspektivisch auch Möglichkeiten für technologische Leistungssteigerungen.

"Mit der 300-mm-Wafertechnologie bringen wir zum ersten Mal
Verbindungshalbleiter in den Mainstream der Halbleiterherstellung. Das
Innovationszentrum ist ein wichtiges Element unserer Strategie, da es den
Platz und die technischen Voraussetzungen für Technologien der nächsten
Generation bietet. Der Schritt hin zu 300 mm bei Verbindungshalbleitern ist
ein Meilenstein, der in den kommenden Jahren zahlreiche
Wachstumsmöglichkeiten für die Branche eröffnen wird", erklärt Professor Dr.
Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.


Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

13.12.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt
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   Sprache:        Deutsch
   Unternehmen:    AIXTRON SE
                   Dornkaulstraße 2
                   52134 Herzogenrath
                   Deutschland
   Telefon:        +49 (2407) 9030-0
   Fax:            +49 (2407) 9030-445
   E-Mail:         invest@aixtron.com
   Internet:       www.aixtron.com
   ISIN:           DE000A0WMPJ6
   WKN:            A0WMPJ
   Indizes:        MDAX, TecDAX
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