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Vom Konzept zur Massenproduktion: Die Reise von Risen Energy in die Welt der ultradünnen Wafer

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EQS-News: Risen Energy Co., Ltd / Schlagwort(e): Miscellaneous
Vom Konzept zur Massenproduktion: Die Reise von Risen Energy in die Welt der
ultradünnen Wafer

11.03.2026 / 17:55 CET/CEST
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.

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NINGBO, China, 11. März 2026 /PRNewswire/ -- In den in der Branche immer
wieder aufflammenden Diskussionen über "Weltraum-Photovoltaik" werden einige
technische Schlüsseleigenschaften immer wieder betont: Leichtbauweise, hohe
Ausgangsleistung, Strahlungsresistenz und langfristige Zuverlässigkeit.
Diese Anforderungen lenken unseren Fokus natürlich auf eine Kerntechnologie,
die wir bereits seit langem entwickeln und auch schon in großem Maßstab
eingesetzt haben - die Anwendung ultradünner Siliziumwafer in
Heterojunction-Solarzellen (Heterojunction Technology, HJT).

Wenn wir heute das von Risen Energy veröffentlichte technische Whitepaper
"Risen Energy's HJT Hyper-ion: A White Paper on Development and Industrial
Application of Ultra-Thin Silicon Wafers" (Das Risen Energy HJT Hyper-Ion:
Ein Whitepaper zur Entwicklung und industriellen Anwendung ultradünner
Siliziumwafer) erneut betrachten, stellen wir fest, dass viele der Ideen,
die heute an der Grenze des Machbaren auftauchen, bereits in der dort
dokumentierten praktischen technischen Logik enthalten waren. Dieses
umfassende Dokument aus dem Bereich der Massenproduktion kann der Branche
eine Perspektive bieten, die technische Erkenntnisse und praktische
Unterstützung vereint.

Risen Energy's HJT Hyper-ion: A White Paper on Development and Industrial Application of Ultra-Thin Silicon

Wafers

1. Warum "dünn"? Eine unvermeidliche Wahl, begründet in der Art der
Konstruktion

In dem White Paper weisen wir deutlich darauf hin, dass in der
Kostenstruktur von HJT-Solarzellen die Siliziumwafer mit 55 % den größten
Anteil ausmachen. Daher ist die Verwendung möglichst dünner Wafer die
direkteste und wirksamste Methode zur Kostensenkung. Die Gründe dafür gehen
jedoch über den wirtschaftlichen Aspekt hinaus. Sie sind grundlegend mit der
Heterojunction-Technologie selbst verbunden.

Der gesamte Niedrigtemperatur-Fertigungsprozess von HJT-Zellen (<200 °C) und
die vollständig symmetrische Zellstruktur ermöglichen eine sehr viel
"sanftere" Verarbeitung des Wafers, wodurch Risiken wie Wafer-Verwerfungen
und -brüche, die durch Hochtemperaturprozesse und asymmetrische Belastungen
bei PERC- und TOPCon-Technologien verursacht werden, erheblich reduziert
werden. Daher sind ultradünne Wafer nicht nur mit der
Heterojunction-Technologie kompatibel - sie sind ein inhärenter Vorteil der
HJT und eine der wichtigsten Voraussetzungen für ihre breitere Verwendung in
der Zukunft.

2. Wie kann "dünn" zuverlässig sein? Systematische Balance von Effizienz,
Ertrag und mechanischer Festigkeit

Wir haben eine Reihe von Untersuchungen und praktischen Versuchen
durchgeführt, die sich auf Effizienz, Produktionsausbeute und mechanische
Festigkeit konzentrieren:

2.1 Kompromisse bei der Effizienz

Unsere Versuchsergebnisse stimmen mit den Erkenntnissen aus der
Fachliteratur überein und zeigen eine interessante Wechselbeziehung: Während
der Kurzschlussstrom (Jsc) mit abnehmender Waferdicke sinkt, steigt die
Leerlaufspannung (Voc). Der Füllfaktor (FF) bleibt relativ konstant.
Innerhalb einer bestimmten "Plateauphase" ist die Abnahme der
Gesamteffizienz der Zellen minimal und akzeptabel. Die Breite dieses
Plateaus ist bei verschiedenen Zelltechnologien unterschiedlich. Bei Risen
Energy haben die mit 110-m-Wafern hergestellten HJT-Hyperion-Zellen bereits
einen durchschnittlichen Wirkungsgrad von 26,4 % erreicht, wobei die besten
Produktionschargen 26,6 % übersteigen. Diese Ergebnisse zeigen, dass bei der
Heterojunction-Technologie eine geeignete Verringerung der Waferdicke die
obere Leistungsgrenze nicht beeinträchtigt.

2.2 Optimierung der Fertigung

Wir haben die Waferkassettenkonfiguration neu gestaltet und von horizontaler
auf vertikale Bestückung umgestellt, während wir gleichzeitig alle damit
verbundenen Automatisierungs- und Transferprozesse in der gesamten Linie
optimiert haben. Die Ergebnisse zeigen eine stabilisierte Ausbeute von
durchgängig über 99,5 % bei einer Fragmentierungsrate von unter 0,25 %, was
beweist, dass die mit der "Waferdünnung" verbundenen Herausforderungen bei
der Herstellung durch systematische Prozess- und Anlageninnovationen
bewältigt werden können.

2.3 Wiederentdeckung der mechanischen Festigkeit

Unsere Vergleichstests ergaben, dass 150 m PERC- und 130 m TOPCon-Zellen
während des Biegetests zerbrachen. Wurde die Dicke jedoch auf unter 100 m
reduziert, wiesen die Zellen stattdessen eine ausgezeichnete Flexibilität
auf. HJT-Zellen weisen eine außergewöhnliche Flexibilität auf, die neue
Möglichkeiten für Leichtbaumodule und Anwendungen in speziellen Umgebungen
schafft.

3. Vom Erdboden in den Weltraum: Ausdehnung der Tiefe von "dünn"

Unsere aktuellen HJT-Hyper-ion-Produkte für Freiflächen-PV-Anlagen verwenden
ausschließlich 110-m-Siliziumwafer und eine Solarzellendicke von etwa 95
m. Bei dieser Dicke haben wir ein optimales Gleichgewicht zwischen
Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit bei gleichzeitig deutlicher
Kostenreduzierung erreicht. Dies ist jedoch nur ein Aspekt unserer
technischen Möglichkeiten.

Insbesondere für Photovoltaik-Anwendungen im Weltraum, wo ein extrem hohes
Leistungsgewicht erforderlich ist, müssen Solarzellen in der Regel 70 m
oder noch dünner sein. Dank der jahrelangen Erfahrung mit der ultradünnen
HJT-Wafertechnologie ist Risen Energy in der Lage, Zellen mit einer Dicke
von weniger als 70 m herzustellen.

4. Wie kann "dünn" auch effektiv sein? Systeminnovation von der Zelle bis
zum Modul

Herkömmliches Hochtemperaturlöten ist für solche dünnen Zellen nicht mehr
geeignet. Um dieser Herausforderung zu begegnen, hat Risen Energy die
spannungsfreie Zellverbindungstechnologie "Hyper-link" entwickelt. Diese
Technologie, die durch mehr als 50 exklusive Patente geschützt ist,
vermeidet lötbedingte thermische Spannungen und passt perfekt zu den
niedrigen Temperaturmerkmalen der Hyperjunction-Technologie und den
physikalischen Eigenschaften ultradünner Zellen.

Diese Innovation wird durch strenge Zuverlässigkeitstests gestützt, die die
Anforderungen der IEC-Normen weit übertreffen: 5400 Pa statische Belastung,
10.000 dynamische Belastungszyklen, 2000 Stunden feuchte Hitze (DH2000), 400
thermische Zyklen (TC400) und weitere beschleunigte Alterungstests. Die
Ergebnisse bestätigten, dass Hyper-ion-Module, die ultradünne Wafer und die
Hyper-link-Technologie verwenden, Leistungseinbußen aufweisen, die weit
unter den Standardanforderungen liegen.

5. Integrierte Forschung und Entwicklung

Bei der Betrachtung unserer Reise hin zu ultradünnen Wafern liegt der
eigentliche Fortschritt nicht nur in einzelnen technologischen Durchbrüchen,
sondern auch in integrierten Innovationen bei Wafern, Zellen und Modulen.
Waferdünnung, Metallisierung mit niedrigem Silbergehalt, Zero-Busbar-Zellen
und Hyper-link-Technologien fügen sich wie Puzzleteile unter einem
einheitlichen Konstruktionsprinzip zusammen und führen letztendlich zur
Wettbewerbsfähigkeit der Hyper-ion-Produkte.

Die Entwicklung ultradünner Wafer durch Risen Energy begann als Reaktion auf
die Notwendigkeit von Kostensenkungen in der Industrie und war dank der
Berücksichtigung technologischer Grundlagen und des Engagements für
systematische Innovationen erfolgreich. Mit der erneuten Veröffentlichung
und Weitergabe dieses Whitepapers möchten wir unseren aktuellen Stand der
Betrachtungen und der industriellen Praxis vorstellen und gemeinsam mit
Partnern aus der gesamten Branche daran arbeiten, die
Photovoltaik-Technologie in eine Zukunft zu führen, die leichter, stärker
und kreativer ist als je zuvor.

Foto -

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