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ROHM erweitert sein Angebot um MOSFETs mit breitem SOA für KI-Server in einem kompakten 5 x 6 mm-Gehäuse

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EQS-News: ROHM Co., Ltd. / Schlagwort(e): Produkteinführung
ROHM erweitert sein Angebot um MOSFETs mit breitem SOA für KI-Server in
einem kompakten 5 x 6 mm-Gehäuse

21.01.2026 / 10:45 CET/CEST
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KYOTO, Japan, 21. Januar 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat den
100-V-Leistungs-MOSFET RS7P200BM entwickelt, der in einem Gehäuse der Größe
5060 (5,0 mm x 6,0 mm) eine branchenführende Leistung im sicheren
Betriebsbereich (SOA) erzielt. Dieses Produkt eignet sich ideal für
Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für
Stromversorgungen in Industrieanlagen, die einen Batterieschutz erfordern.

Kennzahlen:

https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202601142419/_prw_PI1fl_W374YeRf.jpg

Die rasante Entwicklung und die weit verbreitete Einführung von
KI-Technologie haben die Nachfrage nach stabilem Betrieb und verbesserter
Energieeffizienz bei Servern erhöht, die mit generativer KI und
leistungsstarken GPUs ausgestattet sind. Insbesondere Hot-Swap-Schaltungen
erfordern Leistungs-MOSFETs mit einer hohen SOA-Toleranz, um Einschaltstrom
und Überlastbedingungen sicher zu bewältigen und einen stabilen Betrieb zu
gewährleisten. Darüber hinaus schreitet in Rechenzentren und KI-Servern vor
dem Hintergrund der Energieeinsparung die Umstellung auf
48-V-Stromversorgungen voran, die eine überlegene
Energieumwandlungseffizienz bieten. Dies erfordert die Konstruktion von
Hochspannungs- und hocheffizienten Stromversorgungsschaltungen, die diesen
Anforderungen gerecht werden.

Daher hat ROHM sein Angebot an 100-V-Leistungs-MOSFETs erweitert, die sich
ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern eignen, um den
Marktanforderungen gerecht zu werden. Der neue RS7P200BM verfügt über ein
kompaktes DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060), das im Vergleich zum RY7P250BM im
DFN8080-8S-Gehäuse, den ROHM im Mai 2025 auf den Markt gebracht hat, eine
höhere Packungsdichte ermöglicht.

Das neue Produkt erreicht einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von
4,0 Milliohm (Bedingungen: VGS=10 V, ID=50 A, Ta=25 °C) und behält
gleichzeitig einen breiten SOA von 7,5 A bei einer Impulsbreite von 10 ms
und 25 A bei 1 ms unter Betriebsbedingungen von VDS=48 V bei. Dieses
Gleichgewicht zwischen niedrigem Durchlasswiderstand und breitem SOA, das in
der Regel einen Kompromiss darstellt, trägt dazu bei, die Wärmeentwicklung
während des Betriebs zu unterdrücken, wodurch die Effizienz der
Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast reduziert und die Stromkosten
gesenkt werden.

ROHM wird sein Angebot an Leistungsbauelementen für
48-V-Stromversorgungssysteme weiter ausbauen und damit zur Reduzierung von
Leistungsverlusten und Kühlungslasten in Rechenzentren sowie zur
Verbesserung der hohen Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von
Serversystemen beitragen.

Pressemitteilung:

https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-11-25_news_mosfet&defaultGroupId=false

Anwendungsbeispiele

- 48-V-System-KI-Server und Hot-Swap-Stromkreise für Rechenzentren

- 48-V-System-Stromversorgungen für Industrieanlagen (Gabelstapler,
Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren usw.)

- Batteriebetriebene Industrieausrüstung wie beispielsweise fahrerlose
Transportfahrzeuge (FTF)

- UPS, Notstromversorgungssysteme (Batterie-Backup-Einheiten)

Informationen zur Marke EcoMOS (TM):
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O1-0zoLwEz6.pdf

Informationen zu ROHM:
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O2-49g606Xh.pdf

Logo:

https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202601142419/_prw_PI2fl_U7e2BR8b.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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