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    Entscheidung der US International Trade Commission bestätigt,
patentverletzende GaN-Produkte von Innoscience vom US-Markt verbannt
München (ots) - Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den
US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US
International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt.
Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der
GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von
Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten
werden.

"Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des geistigen Eigentums
von Infineon. Sie bekräftigt unser Engagement, das Patentportfolio von Infineon
aktiv zu schützen und fairen Wettbewerb in der Branche zu wahren", sagt Johannes
Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei
Infineon. "Mit unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung sind wir
einzigartig positioniert, um Innovationen zu skalieren. So können wir
Leistungs-, Qualitäts- und Kostenvorteile liefern, die unsere Kunden benötigen,
um Dekarbonisierung und Digitalisierung weiter voranzutreiben."

Diese finale Entscheidung der US ITC fügt sich in eine ganze Reihe von
Gerichtsentscheidungen zugunsten von Infineon in Bezug auf das
GaN-Patentportfolio des Unternehmens ein. In Rechtsstreitigkeiten in Deutschland
hatte das Landgericht München I bereits im August 2025, im Juni 2026 und Anfang
Juli 2026 festgestellt, dass Innoscience drei Patente und ein Gebrauchsmuster
von Infineon verletzt. Die Urteile des deutschen Gerichts untersagen Innoscience
den Import, den Verkauf und die Vermarktung patentverletzender Produkte in
Deutschland. Darüber hinaus hat das Gericht Innoscience zur Zahlung von
Schadensersatz an Infineon verurteilt.

GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und
energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen,
darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren,
Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.

Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender Integrated Device
Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das Unternehmen verfügt über das
branchenweit breiteste Patent-Portfolio. Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien.
Infineon setzt sich für die Förderung von Innovationen ein und treibt die
Entwicklung von Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten
Herausforderungen der Welt - von der Dekarbonisierung bis zur digitalen
Transformation - zu bewältigen.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von
Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit
seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und
Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte
(Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen
Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol
"IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol
"IFNNY" notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter http://www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter http://www.infineon.com/presse

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Pressekontakt:

Felix Sparkuhle, mailto:felix.sparkuhle@infineon.com, +49 89 234 38991

Weiteres Material: http://presseportal.de/pm/17888/6309388
OTS:               Infineon Technologies AG
ISIN:              DE0006231004