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Nexperia nutzt AIXTRON für 200mm SiC- und GaN-Power

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EQS-Media / 16.07.2024 / 07:30 CET/CEST

Herzogenrath, 16. Juli 2024 - AIXTRON (FSE: AIXA) unterstützt Nexperia beim
Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und
Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente. Der Halbleiterkonzern hat sich für
einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine
weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.

Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch
SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter Feldeffekt-
(FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) der nächsten
Generation hergestellt. Sie kommen in verschiedenen
Energieumwandlungsanwendungen - etwa in Rechenzentren, Solarwechselrichtern,
Elektrofahrzeugen oder Zügen - zum Einsatz.

Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von
Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023 einen Umsatz von mehr als
2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET
auf den Markt gebracht, gefolgt im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia
erweitert sein Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und
energieeffiziente Bauelemente.

Der global erfolgreiche Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz im
niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und im Großraum
Manchester (England). Die AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der
Nexperia-Wafer Fab in Hamburg installiert und stärken die
Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das Unternehmen
produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete Halbleiter, was etwa
einem Viertel der weltweiten Produktion dieser Bauelement-Typen entspricht.

"Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler Akteur in der
Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden hat. Mit unseren
G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene Wachstumsstrategie mit der
Großserienproduktion von Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle
Anwendungen umsetzen. Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang
der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor", sagte Dr.
Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

"Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von großer
Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und unsere Marktpräsenz
im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die
Integration der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und
Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich verbessern.
Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen die zusätzlichen
Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um unsere Produktion
effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den neuen G10-Anlagen in
unserer Hamburger Fab können wir unsere Produktionskapazitäten weiter
ausbauen", sagte Achim Kempe, COO bei Nexperia B.V.

Ansprechpartner

Medien
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Investoren
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

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