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ROHM Semiconductor setzt beim Ausbau der eigenen Produktion von GaN-Leistungsbauelementen auf AIXTRONs G10-GaN-Plattform

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EQS-Media / 08.06.2026 / 08:30 CET/CEST

ROHM Semiconductor setzt beim Ausbau der eigenen Produktion von
GaN-Leistungsbauelementen auf AIXTRONs G10-GaN-Plattform

Herzogenrath, 8. Juni 2026 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter
von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute eine
strategische Produktionspartnerschaft mit ROHM Semiconductor bekannt, einem
weltweit führenden Anbieter von Leistungshalbleiterlösungen. ROHM hat sich
für das G10-GaN-Depositionssystem von AIXTRON entschieden, um in seinem Werk
in Hamamatsu, Japan, eine eigene GaN-Epitaxie aufzubauen. Das System
befindet sich derzeit im Hochlauf für die Serienproduktion von
8-Zoll-GaN-Epitaxiewafern für 650-V- und
100-V-Leistungsbauelement-Plattformen.

ROHM hat sich eine starke Position bei Galliumnitrid-Leistungsbauelementen
erarbeitet. Die EcoGaN(TM)-Produktfamilie - darunter 650-V-GaN-HEMTs für
Server-Stromversorgungen, Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler - adressiert
wachstumsstarke Anwendungen in KI-Rechenzentren und elektrischen
Antriebssträngen. ROHMs 100V-Produktlinie bedient die wachsende Nachfrage
nach hocheffizienten Spannungsreglermodulen (VRMs), die in KI-Beschleunigern
und GPU-basierten Computing-Plattformen eingesetzt werden, wo
Leistungsdichte, Effizienz und Wärmemanagement zentrale Anforderungen sind.

Bislang stützte sich ROHM bei der Herstellung seiner 650-V-GaN-Bauelemente
auf externe Foundry-Partner. Mit dem Aufbau eigener GaN-Epitaxie übernimmt
ROHM mehr Kontrolle über einen entscheidenden Teil des
Herstellungsprozesses. Die Installation des G10-GaN-Systems von AIXTRON im
Werk Hamamatsu unterstützt ROHMs Übergang zu einer verstärkten vertikalen
Integration und stärkt die Fähigkeit des Unternehmens, die Produktion für
Leistungshalbleiteranwendungen der nächsten Generation zu skalieren.

"Das G10-GaN-System von AIXTRON vereint bewährte Technologie, Skalierbarkeit
und einen partnerschaftlichen Ansatz - genau die Kombination, die ROHM
benötigt, um bei GaN-Leistungsbauelementen führend zu sein", sagte Yasushi
Hamazawa, Executive Officer bei ROHM Semiconductor. "AIXTRON verfügt nicht
nur über weltweit führende Epitaxie-Technologie und strebt eine
kontinuierliche Weiterentwicklung an, sondern arbeitet auch aktiv mit uns an
der Prozessoptimierung und der langfristigen Abstimmung der Roadmap. Diese
Zusammenarbeit wird entscheidend dazu beitragen, unsere
Produktwettbewerbsfähigkeit zu stärken und die immer anspruchsvolleren
Leistungsanforderungen von KI- und Automobilkunden zu erfüllen."

"Wir fühlen uns geehrt, dass ROHM AIXTRON für diese strategische
Produktionserweiterung ausgewählt hat", sagte Dr. Felix Grawert, CEO von
AIXTRON SE. "Die Entscheidung von ROHM, die GaN-Epitaxie auf unserer
G10-GaN-Plattform in Eigenregie durchzuführen, steht für einen
entscheidenden Wandel, wie führende Bauelementhersteller ihre Lieferketten
für Verbindungshalbleiter absichern. Unsere Partnerschaft mit ROHM verbindet
das Prozess-Know-how von AIXTRON mit der bewährten Bauelementtechnologie von
ROHM - gemeinsam beschleunigen wir die breite Einführung von
GaN-Leistungselektronik."

Die Zusammenarbeit zwischen AIXTRON und ROHM geht weit über die Lieferung
von Produktionsanlagen hinaus. Beide Unternehmen arbeiten eng bei der
Prozessoptimierung und der langfristigen Abstimmung ihrer
Technologie-Roadmaps zusammen. Die G10-GaN-Plattform von AIXTRON - das
serienerprobte System für die Großserienfertigung von
GaN-on-Silicon-Epitaxie - bietet die Gleichmäßigkeit, den Durchsatz und die
Prozesskontrolle, die für die Herstellung von GaN-Bauelementen mit hoher
Durchbruchspannung, niedrigem Durchlasswiderstand und ausgezeichneter
thermischer Stabilität erforderlich sind.

Durch die hauseigene GaN-Epitaxie erhält ROHM mehr Kontrolle über die
Waferqualität, die Leistungsfähigkeit der Bauelemente und die
Produktionsplanung. Dies stärkt die Fähigkeit des Unternehmens, auf
Kundenanforderungen in den schnelllebigen Märkten für KI und Automotive-
Leistungselektronik zu reagieren, und positioniert ROHM langfristig
wettbewerbsfähig im Markt für GaN-Leistungsbauelemente, der bis 2030
voraussichtlich ein Volumen von rund 3 Milliarden US-Dollar erreichen wird.

Kontakt

Christian Ludwig

Vizepräsident Investor Relations & Unternehmenskommunikation

Tel. +49 (2407) 9030-444

E-Mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON:

AIXTRON SE ist ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für
die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen
Hauptsitz in Herzogenrath (bei Aachen), Deutschland, sowie
Tochtergesellschaften und Vertriebsniederlassungen in Asien, den Vereinigten
Staaten und Europa. Die Technologielösungen von AIXTRON werden weltweit von
einer Vielzahl von Kunden eingesetzt, um fortschrittliche Komponenten für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien herzustellen.
Solche Komponenten finden in einem breiten Spektrum innovativer Anwendungen,
Technologien und Branchen Verwendung. Dazu gehören Laser- und
LED-Anwendungen, Display-Technologien, Datenübertragung, SiC- und
GaN-Leistungsmanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signalübertragung
und Beleuchtung sowie eine Reihe weiterer Spitzenanwendungen.

Unsere eingetragenen Marken: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close
Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®,
Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen zu AIXTRON (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) finden Sie
auf unserer Website unter: www.aixtron.com.


ROHM's EcoGaN(TM) ist ROHMs Markenname für GaN-Bauelemente, die durch die
optimale Nutzung der GaN-Eigenschaften zu Energieeinsparungen und
Miniaturisierung beitragen. Sie ermöglichen einen geringeren Stromverbrauch
in Anwendungen, kleinere Peripheriekomponenten und einfachere Designs mit
weniger Bauteilen.

EcoGaN(TM) ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.


Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen bezüglich des Geschäfts,
der Betriebsergebnisse, der Finanzlage und der Ertragsaussichten von AIXTRON
enthalten. Diese Aussagen sind an Begriffen wie "könnte", "wird",
"erwarten", "voraussehen", "beabsichtigen", "planen", "glauben",
"fortsetzen" und "schätzen" sowie an Variationen dieser Begriffe oder
ähnlichen Ausdrücken zu erkennen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen
basieren auf unseren aktuellen Einschätzungen, Erwartungen und Annahmen, von
denen viele außerhalb der Kontrolle von AIXTRON liegen und Risiken und
Unsicherheiten unterliegen. Sie sollten sich nicht übermäßig auf diese
zukunftsgerichteten Aussagen verlassen. Sollten diese Risiken oder
Unsicherheiten eintreten oder sollten die zugrunde liegenden Erwartungen
nicht eintreten oder sich Annahmen als unrichtig erweisen, können die
tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen oder Erfolge von AIXTRON erheblich von
den in der jeweiligen zukunftsgerichteten Aussage ausdrücklich oder implizit
beschriebenen abweichen. Dies könnte auf eine Vielzahl von Faktoren
zurückzuführen sein, wie z. B. die tatsächlich bei AIXTRON eingegangenen
Kundenaufträge, die Nachfrage nach Abscheidungstechnologie auf dem Markt,
den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme der Produkte durch die Kunden, die
Lage auf den Finanzmärkten und den Zugang zu Finanzmitteln für AIXTRON, die
allgemeinen Marktbedingungen für Abscheidungsanlagen und die
makroökonomischen Rahmenbedingungen, Stornierungen, Terminverschiebungen
oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Produktionskapazitätsengpässe,
verlängerte Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im
Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung in der Halbleiterindustrie,
verstärkter Wettbewerb, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit
öffentlicher Fördermittel, Schwankungen und/oder Änderungen der Zinssätze,
Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine
Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie alle anderen
Faktoren, die in Berichten oder anderen Veröffentlichungen, insbesondere im
Kapitel "Risiken" des von AIXTRON eingereichten Geschäftsberichts, erörtert
werden. Alle in diesem Dokument enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen
basieren auf den aktuellen Erwartungen und Prognosen des Vorstands auf der
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AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung, zukunftsgerichtete Aussagen aufgrund
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie

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   Sprache:        Deutsch
   Unternehmen:    AIXTRON SE
                   Dornkaulstraße 2
                   52134 Herzogenrath
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   Fax:            +49 (2407) 9030-445
   E-Mail:         invest@aixtron.com
   Internet:       www.aixtron.com
   ISIN:           DE000A0WMPJ6
   WKN:            A0WMPJ
   Indizes:        MDAX, TecDAX
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                   Freiverkehr in Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München,
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